RX53-IR紅外檢測(cè)顯微鏡

半導(dǎo)體芯片檢測(cè)的“透視眼”

近紅外顯微數(shù)碼成像解決方案
專用紅外顯微鏡+IR物鏡  RX53M-IR

 

       RX53M-IR利用近紅外光對(duì)半導(dǎo)體材料的穿透性特點(diǎn)，紅外顯微鏡作為芯片制造以及微電子器件的典型無(wú)損檢測(cè)手段越來(lái)越多的受到重視。通過(guò)紅外顯微鏡對(duì)硅片穿透可觀察晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的位錯(cuò)，隱裂痕；芯片劃片封裝的不良狀況無(wú)損分析；封裝后的焊接部分檢查；可直接穿透厚度不超過(guò)600μm的硅片，觀察IC芯片內(nèi)部，觀察內(nèi)部線路斷裂，崩邊，崩裂，溢出等；也應(yīng)用于包括產(chǎn)品晶圓生產(chǎn)內(nèi)部缺陷檢查，短斷路檢查（燒蝕標(biāo)記、壓力指標(biāo)等）、鍵合對(duì)準(zhǔn)（薄鍵合電路）、失效分析和來(lái)料測(cè)試。

 

我們提供全套數(shù)字近紅外系統(tǒng)

 

       

      RX53M-IR系列紅外顯微鏡配置IR專用物鏡可用于專業(yè)近紅外成像和觀察，也可進(jìn)一步對(duì)圖像分析和測(cè)量。我們的UIS2系列專用紅外線（IR）物鏡為近紅外線數(shù)碼成像推出專業(yè)交鑰匙實(shí)驗(yàn)室解決方案。最新一代的UIS2專用近紅外線物鏡可增加近紅外光譜的透射率，提供特定硅片厚度所需的校正環(huán)（20x、50x和100x物鏡），最大程度提高透射率和性能。

 
我們的全套數(shù)字近紅外解決方案非常適合于硅片高質(zhì)量成像和檢查，其中包括：

• 正置紅外顯微鏡（RX53M-IR）

可同時(shí)進(jìn)行反射光和透射光的紅外觀測(cè)

• UIS2-IR物鏡，高倍有針對(duì)硅片厚度矯正環(huán)
• 專用紅外偏光鏡可消除光暈、提高成像襯度
• U-BP1100IR和U-BP1200IR帶通濾光鏡，最適合于硅襯底的CSP觀察
• 專用紅外攝像頭

IR435M sCMOS近紅外相機(jī)  高動(dòng)態(tài)范圍/高靈敏度 4百萬(wàn)像素USB3.0攝像頭 ，光譜400~1100nm響應(yīng)

IMX990 VSWIR sensor SONY InGaAs 芯片 攝像頭 光譜400~1700nm響應(yīng)

 

我們的近紅外系統(tǒng)能夠穿透硅片下方獲取高質(zhì)量圖像，執(zhí)行精確測(cè)量，創(chuàng)建可靠的報(bào)告，并保存圖像，這些都不會(huì)損壞成品。參考以下案例：

Vcsel芯片隱裂(cracks)	Vcsel芯片隱裂(cracks)
CMOS器件紅外微觀檢查20X	CMOS器件紅外微觀檢查10X
半導(dǎo)體芯片檢查：a）明場(chǎng)圖像5X；b）紅外成像5X
硅基半導(dǎo)體Wafer、碲化鎘CdTe、碲鎬汞HgCdTe襯底無(wú)損紅外檢測(cè)
太陽(yáng)能電池組件綜合缺陷紅外檢測(cè)
紅外顯微鏡在---Vcsel行業(yè)的應(yīng)用
die chip 失效分析