BX53M-IR紅外顯微鏡
半導(dǎo)體芯片檢測的“透視眼”
近紅外顯微數(shù)碼成像解決方案
專用紅外顯微鏡+IR物鏡 BX53M-IR/MX63L-IR
利用近紅外光對半導(dǎo)體材料的穿透性特點，紅外顯微鏡作為芯片制造以及微電子器件的典型無損檢測手段越來越多的受到重視。通過紅外顯微鏡對硅片穿透可觀察晶體生長過程中的位錯，隱裂痕；芯片劃片封裝的不良狀況無損分析；封裝后的焊接部分檢查；可直接穿透厚度不超過600μm的硅片，觀察IC芯片內(nèi)部，觀察內(nèi)部線路斷裂，崩邊，崩裂，溢出等；也應(yīng)用于包括產(chǎn)品晶圓生產(chǎn)內(nèi)部缺陷檢查，短斷路檢查（燒蝕標記、壓力指標等）、鍵合對準（薄鍵合電路）、失效分析和來料測試。
反射光顯微鏡非常適合于從上方照亮樣品，但透射光IR設(shè)計為通過硅片從樣品下方照亮樣品，從而增強對比度。因此，透射光尤其適用于通過硅片檢查圖形對準或框標。OLYMPUS的紅外檢查顯微鏡可以分別或者同時使用紅外光檢查。
近紅外一般定義為700-2000nm波長范圍內(nèi)的光線，對于紅外攝像頭而言硅基傳感器的上限約為1100nm，銦鎵砷（InGaAs）傳感器大約1800nm左右，都是目前在近紅外顯微觀察中使用的主要傳感器，可覆蓋典型的近紅外頻帶。大量使用可見光難以或無法實施的應(yīng)用可通過近紅外成像完成。當使用近紅外成像時，水蒸氣、硅、部分化合物、部分藍膜等特定材料均為透明，因此紅外顯微檢測被應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)的各個方面。
我們提供全套數(shù)字近紅外系統(tǒng)
奧林巴斯BX53M-IR/MX63L-IR系列紅外顯微鏡配置IR專用物鏡可用于專業(yè)近紅外成像和觀察，也可進一步對圖像分析和測量。我們的UIS2系列專用紅外線（IR）物鏡為近紅外線數(shù)碼成像推出專業(yè)交鑰匙實驗室解決方案。最新一代的UIS2專用近紅外線物鏡可增加近紅外光譜的透射率，提供特定硅片厚度所需的校正環(huán)（20x、50x和100x物鏡），最大程度提高透射率和性能。
XM10-IR數(shù)碼攝像頭可提供1100 nm內(nèi)全近紅外光譜的高對比度圖像，同時由于使用了較大的2/3英寸CCD傳感器，仍可保持較大視野。同時針對需要更長的波長要求，或者更高的圖像分辨率要求，我們可提供其他專業(yè)的科研級紅外相機，也可以提供OLYMPUS Stream軟件或相應(yīng)的圖像分析軟件，加強圖像識別能力，背景矯正能力，用戶可以輕松提高實時和捕獲紅外圖像的對比度；還能夠精確測量圖像視野內(nèi)的任何位置，自動創(chuàng)建報告，并保存圖像和相關(guān)數(shù)據(jù)。
我們的全套數(shù)字近紅外解決方案非常適合于硅片高質(zhì)量成像和檢查，其中包括：
- 正置紅外顯微鏡（BX53系列）或?qū)Ｓ眉t外硅片檢測顯微鏡（MX63系列）
可同時進行反射光和透射光的紅外觀測
- UIS2-IR物鏡，高倍有針對硅片厚度矯正環(huán)
- 專用紅外偏光鏡可消除光暈、提高成像襯度
- U-BP1100IR和U-BP1200IR帶通濾光鏡，最適合于硅襯底的CSP觀察
- 專用紅外攝像頭
XM10-IR高靈敏度1.4 MP CCD FireWire數(shù)字攝像頭
U4200-SWIR sCMOS近紅外相機 高動態(tài)范圍/高靈敏度 4百萬像素USB3.0攝像頭 ，光譜400~1100nm響應(yīng)
IMX990 VSWIR sensor SONY InGaAs 芯片 攝像頭 光譜400~1700nm響應(yīng)
我們的近紅外系統(tǒng)能夠穿透硅片下方獲取高質(zhì)量圖像，執(zhí)行精確測量，創(chuàng)建可靠的報告，并保存圖像，這些都不會損壞成品。參考以下案例：
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| Vcsel芯片隱裂(cracks) |
Vcsel芯片隱裂(cracks) |
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| CMOS器件紅外微觀檢查20X |
CMOS器件紅外微觀檢查10X |
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| 半導(dǎo)體芯片檢查：a）明場圖像5X；b）紅外成像5X |
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| 硅基半導(dǎo)體Wafer、碲化鎘CdTe、碲鎬汞HgCdTe襯底無損紅外檢測 |
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| 太陽能電池組件綜合缺陷紅外檢測 |
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| 紅外顯微鏡在---Vcsel行業(yè)的應(yīng)用 |
